富创精密:2025年半年度报告

公司代码：688409 公司简称：富创精密
沈阳富创精密设备股份有限公司
2025 年半年度报告

重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确
性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人郑广文、主管会计工作负责人张璇及会计机构负责人（会计主管人员）栾玉峰
声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
不适用
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用

目录

第一节 释义...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标......7
第三节 管理层讨论与分析......11
第四节 公司治理、环境和社会......32
第五节 重要事项......34
第六节 股份变动及股东情况......74
第七节 债券相关情况......81
第八节 财务报告......82
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
备查文件目录 人员）签名并盖章的财务报表
报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、富创精密、沈阳 指 沈阳富创精密设备股份有限公司
富创
沈阳先进 指 沈阳先进制造技术产业有限公司，曾用名“沈阳先进制
造技术产业发展有限责任公司”，为公司第一大股东
辽宁科发 指 辽宁科发实业有限公司，曾用名“辽宁科发实业公司”，
为公司股东
泰州祥浦创业投资基金合伙企业（有限合伙），曾用
泰州祥浦 指 名“宁波祥浦创业投资合伙企业（有限合伙）”，为公司
股东
上海国投 指 国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限
合伙），为公司股东
宁波芯富 指 宁波芯富投资管理合伙企业（有限合伙），为公司股
东，公司员工持股平台之一
宁波芯芯 指 宁波芯芯投资管理合伙企业（有限合伙），为公司股
东，公司员工持股平台之一
宁波良芯 指 宁波良芯投资管理合伙企业（有限合伙），为公司股
东，公司员工持股平台之一
辽宁中德 指 辽宁中德产业股权投资基金合伙企业（有限合伙），
为公司股东
北京亦盛 指 北京亦盛精密半导体有限公司
沈阳强航 指 沈阳强航时代精密科技有限公司，为公司控股子公司
拓荆科技股份有限公司，曾用名“沈阳拓荆科技有限公
拓荆科技 指 司”，上交所科创板上市公司，证券代码：688072.SH，
国内半导体领域薄膜沉积设备龙头企业之一，为公司
客户，同时为公司关联方
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导
体器件根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）定义可
半导体 指 分为集成电路（IC）、分立器件、光电子和传感器，
广泛应用于下游通信、计算机、消费电子、网络技术、
汽车及航空航天等产业
Integrated Circuit，指通过一系列特定的加工工艺，将
晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源
IC、集成电路 指 元件按一定的电路互联并集成在半导体晶片上，封装
在一个外壳内，执行特定功能的电路或系统，是半导
体器件中主要的组成部分
芯片 指 集成电路载体，是集成电路经设计、制造、封装、测
试后的结果
集成电路芯片制造的前道工序，是把衬底材料（目前
前道 指 集成电路主要是硅衬底）加工成包含成千上万个芯片
的工艺过程，指的是从制造器件结构到进行金属互联，
一直到最后的表面钝化的过程
晶圆 指 在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清
洗与抛光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片
刻蚀（ETCH） 指 用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的
材料的过程，是与光刻相联系的图形化处理的一种主

要工艺，是半导体制造工艺的关键步骤
半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。
这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积
薄膜沉积 指 膜可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜
沉积设备在半导体的前段工序 FEOL（制作晶体管等部
件）和后段布线工序 BEOL（将在 FEOL 制造的各部件
与金属材料连接布线以形成电路）均有多处应
ChemicalVaporDeposition，把一种或几种含有构成薄膜
化学气相沉积（CVD） 指 元素的化合物放置在有基材的反应室，在气态条件下
发生化学反应，在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技
术
Physical Vapor Deposition，一种产生薄膜材料的技术，
在真空条件下采用物理方法，将某种物质表面气化成
物理气相沉积（PVD） 气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体
（或等离子体）过程，在基板材料表面沉积具有某种
特殊功能的薄膜材料的技术
PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，是 CVD 的
等离子体增强化学气相沉积 指 一种，在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进
（PECVD） 行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄
膜的制备方法
原子层沉积（ALD） 指 Atomiclayerdeposition，原子层沉积，是一种可以将物
质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法
等 离 子 体 增 强 原 子 层 沉 积 Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，一种原子层
（PEALD） 沉积技术
涂胶 指 将光刻胶均匀涂覆到晶圆表面的过程
显影 指 将曝光完成的晶圆进行成像的过程，通过这个过程，
成像在光阻上的图